《光学工程基础》清华大学(35)- 物理光学(磁光、电光和声光效应)

Published: by Creative Commons Licence

1. 旋光现象和磁致旋光效应

1.1 旋光现象

【旋光(Optical activity)】当一束偏振光通过某种物质时,光矢量的方向会随着传播距离而逐渐转动。

1)固有旋光现象(旋光现象对某些物体来说是固有的)

当一束线偏振光在石英晶体里头沿着光轴传播的时候会有旋光现象。为什么要沿着光轴传播呢?因为石英也是一种双折射晶体,如果不沿着光轴传播的时候会产生双折射,双折射的时候合成光的偏振方向也会发生变化。故而我们要沿着光轴传播,把双折射效应去掉,只有这样才能表现唯一的现象:旋光现象。

【旋光现象的规律】(其中 $\alpha$为物质的旋光本领。)

\[\theta=\alpha l\]

旋光具有色散性:旋光本领随波长而改变。

旋光方向有左右旋之分。其中方向的规定如下:使光矢量顺时针方向旋转的物质为右旋物质;逆时针方向旋转的物质为左旋物质

2)旋光现象的物理解释(1825年 菲涅尔)

  • 将入射线偏光看成是左旋、右旋圆偏光的合成
\[\begin{bmatrix} 1\\0 \end{bmatrix}=\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\i \end{bmatrix}+\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\-i \end{bmatrix}\]
  • 左旋、右旋圆偏光在物质内部的折射率不同,因而从物质中出射时获得的相位差不等。(左旋光和右旋光在晶体中的传播速度不等)
\[\begin{aligned} E_L&=\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\-i \end{bmatrix}e^{i\frac{2\pi}{\lambda}n_Ld}=\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\-i \end{bmatrix}e^{ik_Ld}\\ E_R&=\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\i \end{bmatrix}e^{i\frac{2\pi}{\lambda}n_Rd}=\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\i \end{bmatrix}e^{ik_Rd} \end{aligned}\]
  • 合成复振幅(Complex amplitude)
\[\begin{aligned} E&=E_L+E_R=\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\-i \end{bmatrix}e^{ik_Ld}+\frac{1}{2}\begin{bmatrix} 1\\i \end{bmatrix}e^{ik_Rd}\\ &=\frac{1}{2}e^{i(k_L+k_R)d/2}\left\{\begin{bmatrix} 1\\-i \end{bmatrix}e^{-i(k_R-k_L)d/2}+\begin{bmatrix} 1\\i \end{bmatrix}e^{i(k_R-k_L)d/2}\right\} \end{aligned}\]

如果我们定义

\[\Psi=\frac{1}{2}(k_L+k_R)d\\ \theta=\frac{1}{2}(k_R-k_L)d=\frac{\pi}{\lambda}(n_R-n_L)d\]

那么我们可以把刚才的表达式简写为:

\[E=e^{i\Psi}\left[\begin{matrix} \frac{1}{2}(e^{i\theta}+e^{-i\theta})\\\frac{1}{2i}(e^{i\theta}-e^{-i\theta}) \end{matrix}\right]=e^{i\Psi}\left[\begin{matrix} \cos\theta\\ \sin\theta \end{matrix}\right]\]

从式子中可见,这个矩阵表达式表示一个与x轴夹角为$\theta$的线偏振光。

下图表示了经过距离d传播,它出射的角度和入射角度(偏振面的角度)有一个角度 $\Psi$。

【小结】若左旋圆偏振光传播速度快,$n_R<n_L,\theta>0$,光矢量向逆时针方向转动;若右旋圆偏振光传播速度快,$n_R>n_L,\theta<0$,光矢量向顺时针方向转动。

【石英晶体性质】沿光轴方向只表现旋光性而无双折射;垂直光轴方向只表现双折射而无旋光性。

1.2 磁致旋光效应(Faraday effect, 1864)

【磁光效应】在强磁场作用下,物质的光学性质发生变化。

【磁致旋光效应】原本不具有旋光效应的物质,在强磁场作用下产生的旋光性。

自然旋光具有互易性:光波沿光轴传播一段距离,再沿原路返回时,偏振面的旋向相反,回到原始位置时,偏振面也回到原始方位。

磁致旋光效应不具有互易性:光波沿相反方向往返通过一段距离后,转角等于单次通过转角的两倍。

磁光效应的应用

  • 应用一:单通光闸
  • 应用二:量糖计(用来测量液体浓度)(自动测量)偏转的角度和液体浓度成正比。
  • 应用三:磁光调制(在光通信领域的应用)。按预定方式改变电流,改变入射到检偏器A上的光矢量的方位,使出射的光强按照马吕斯定律发生变化。

光纤安培计:光纤里面的光在电流的周围通过,而电流周围有磁场,磁场强度不一样的时候,光纤里面线偏振光的振动的方位就不一样,振动方位不一样,就导致后面出来o光、e光的分量大小不一样,大小不一样就会导致 $\frac{I_1-I_2}{I_1+I_2}$ 的值不一样。

磁光空间调制器(MOSLM):液晶显示器里头每一个相点后面都有一个磁包,通过磁包上面加的电流大小不一样,我们可以让它光通过时转过的角度不一样,所以可以控制它出射光的强弱。因此就生成了液晶显示。下面是光路图,图中起偏器和检偏器之间的两个装置为磁包。

2. 电光效应

  • 在外界强电场的作用下,晶体中的束缚电荷分布发生变化;
  • 影响介质微光结构的对称性;
  • 各向同性介质微观结构的对称性;
  • 有双折射现象的晶体,其双折射性质发生变化。

2.1 泡克耳斯效应 —— 一级电光效应

泡克耳斯效应分为纵向电光效应横向电光效应

1)纵向电光效应

加压后,坐标轴绕z轴旋转45°。

\[\frac{1}{n_o^2}(x^2+y^2)+\frac{1}{n_e^2}+2\gamma E_zxy=1\]

其中,$E_z$为电场强度,$\gamma$ 为电光系数。

\[\begin{aligned} \left(\frac{1}{n_o^2}+\gamma E_z\right)x'^2&+\left(\frac{1}{n_o^2}-\gamma E_z\right)y'^2&+\frac{z'^2}{n_e^2}&=1\\ \frac{1}{n_{x'}^2}x'^2&+\frac{1}{n_{y'}^2}y'^2&+\frac{1}{n_{z'}^2} &=1 \end{aligned}\]

如此我们就可以得到感生折射率的差为:

\[n_{x'}-n_{y'}=n_0^3\gamma E\]

引入相位差:

\[\delta=\frac{2\pi}{\lambda}(n_{x'}-n_{y'})l=\frac{2\pi}{\lambda}n_0^3\gamma El\]

出射光强:

\[I=I_0\sin^2\frac{\delta}{2}=I_0\sin^2\left(\frac{\pi}{\lambda}n_0^3\gamma El\right)\]

$\delta=\pi$时的电压 $V_\pi$称为半波电压

\[V_\pi=\frac{\lambda}{2n_0^3\gamma}\]

晶体的半波电压一般比较大,多数为数千伏。有了半波电压 $V_\pi$之后,我们就可以将 $\delta$简写为:

\[\delta=\pi\frac{V}{V_\pi}\]

2)横向电光效应:电场的方向垂直于光的传播方向。(起偏器和检偏器仍然互相垂直)

\[\left(\frac{1}{n_o^2}+\gamma_{13}E_z\right)(x^2+y^2)+\left(\frac{1}{n_e^2}+\gamma_{33}E_z\right)=1\]

其中 $\gamma_{13},\gamma_{33}$是磷酸二氢钾KDP沿不同方向的电光系数。

易见:

\[\begin{cases} n_x=n_y\approx n_o-\frac{1}{2}n_o^3\gamma_{13}E_z\\ n_z\approx n_e-\frac{1}{2}n_e^3\gamma_{33}E_z \end{cases}\\ \Rightarrow\frac{x^2}{n_x^2}+\frac{y^2}{n_y^2}+\frac{z^2}{n_z^2}=1\]

设入射波沿yz角平分线方向振动,那么,将新的折射率代入,我们就可以得到两本征态 y、z分量的感生折射率差

\[n_y-n_z=(n_o-n_e)-\frac{1}{2}(n_o^3\gamma_{13}-n_e^3\gamma_{33})E\]

如此,我们就可以得到两本征态的相位差:

\[\begin{aligned} \delta=&\frac{2\pi}{\lambda_0}(n_y-n_z)l\\ =&\frac{2\pi}{\lambda_0}(n_o-n_e)l-\frac{2\pi}{\lambda_0}\frac{n_o^3\gamma_{13}-n_e^3\gamma_{33}}{2}El \end{aligned}\]

横向电光效应的主要缺点:波长敏感(存在自然双折射),强烈依赖于 $l$(只适用于准直激光光束)。克服自然双折射的补偿方案:厚度相同的两块晶体连用,y-z轴对调,o光变e光,e光变o光,自然双折射及温度变化产生的相位延迟被抵消,此时半波电压和出射光强如下:

\[\begin{aligned} 半波电压:&V_\pi=\frac{d}{l}\frac{\lambda_0}{n_e^3\gamma_{33}-n_o^3\gamma_{13}}\\ 出射光强:&I=I_0\sin^2\frac{\delta}{2}=I_0\sin^2\left(\frac{\pi}{2}\frac{V}{V_\pi}\right) \end{aligned}\]

2.2 克尔效应 —— 二级电光效应

加电场后的折射率椭球方程为:

\[\left(\frac{1}{n^2}+s_{12}E^2\right)x^2+\left(\frac{1}{n^2}+s_{12}E^2\right)y^2+\left(\frac{1}{n^2}+s_{11}E^2\right)z^2=1\]

我们对上述式子进行简化,令

\[\begin{cases} n_o=n-\frac{1}{2}n^3s_{12}E^2\\ n_e=n-\frac{1}{2}n^3s_{11}E^2 \end{cases}\\~\\ \Rightarrow 同单轴晶体~~~~\frac{x^2+y^2}{n_o^2}+\frac{z^2}{n_e^2}=1\]

其中,$n_o$为光波振动方向与外电场方向正交时介质的折射率,$n_e$为光波振动方向与外电场方向平行时介质的折射率。

\[n_e-n_o=\frac{1}{2}n^3(s_{12}-s_{11})E^2=K\lambda E^2\\ K=\frac{n^3(s_{12}-s_{11})}{2\lambda}\]

引入相位差:

\[\delta=\frac{2\pi}{\lambda}\Delta n\cdot l=2\pi KE^2l\]

出射光强:

\[I=I_0\sin^2\frac{\delta}{2}=I_0\sin^2(\pi KlV^2/h^2)\]

2.3 电光效应的应用

1)电光调制

\[I=I_0(1-\cos\delta)=I_0\sin^2\left(\frac{\pi V}{2V_\pi}\right)~~~\begin{matrix} V=0&I=0&T=0\\ V=V_\pi&I=I_0&T=1 \end{matrix}\]

$T$为整个系统的透过率。输入一列幅度为 $V_\pi$的方波,可以实现光开光功能

光强的调制:

\[\frac{I}{I_0}=\frac{1}{2}(1-\cos\delta)=\sin^2\left(\frac{\pi V}{2V_\pi}\right)\]

光强调制的不足:$I\sim V$ 呈非线性关系:

\[I\sim I_0\sin^2\left(\frac{\pi V_S}{2V_\pi}\right)\sim I_0\left(\frac{\pi}{2V_\pi}\right)^2V_S^2\]

$V$为我们所加的电压大小。

以O点为工作点时,曲线斜率小,灵敏度低。通过观察曲线图,我们可以知道,如果可以将“工作点”移动到 $\frac{V_\pi}{2}$,此时基本上为线性。谓之:“线性化”。如何偏置呢?我们使用四分之一波片。

从下图可知,近似正弦输出,输出光强的调制频率等于外加电压的频率。电光调制原理可用于实现激光通信,也可用作电光开光

3. 声光效应

声光效应是弹光效应的一种表现形式。

【弹光效应】媒质在外力作用下发生弹性形变,从而导致媒质光学性质发生变化的现象。

声波在媒质中传播,应变使介质折射率随时间、空间发生周期性变化

\[\Delta n(r,t)=n\cos(\Omega t-K\cdot r),\]

光通过这种介质时发生衍射现象,称为声光效应。声光效应时声波场与光波场子声光介质中相互作用的结果,是弹光效应的一种表现形式。

声波为行波,声波波长(空间周期)为 $\Lambda=\frac{2\pi}{K}$,声波 $V=\frac{\Omega}{K}$。

沿z轴传播的声波,质点的位移

\[u(z,t)=A\cos(\Omega t-Kz)\]

声波在介质中产生沿z轴的应变场

\[S=S_0\sin(\Omega t-Kz)\\ \Delta n=-\frac{1}{2}n^3pS_0\sin(\Omega t-Kz)\]

其中的 $p$为弹光系数。

折射率变化的大小是跟声波作用下质点的位移产生的场应变相关的。

\[n(z,t)=n-\frac{1}{2}n^3pS_0\sin(\Omega t-Kz)\]

光波通过声光栅的衍射类似一般光学光栅的衍射。一般光栅的衍射是一个周期固定、位置固定的一个光栅,而声波产生的这样一个光栅应该是一个运动的的光栅。但是声波的速度相对于光波的速度要小几个量级,所以可以说光波通过的过程中,光栅的这个位置还没有来得及移动,光波就过去了。但是它会引起一个多普勒频移

光栅方程】光波通过声光栅的衍射,满足光栅方程。

3.1 声光效应分类

根据声波波长、光波波长和声光作用长度分为两种,喇曼-奈斯声光衍射布拉格声光衍射

声光效应与线性电光效应的区别:

  • 线性电光效应只发生在一些具有特定对称性的晶体中;
  • 声光效应在所有的介质中都会发生。

1)布拉格(Bragg)声光衍射

根据相邻光波衍射光的光程差等于光波波长的整数倍,结合光栅方程,得到布拉格衍射条件

\[\theta-\theta_i=\theta_B\]

于是可得:$2k\sin\theta_B=\Lambda$。我们把光波的波矢 $\frac{2\pi}{\lambda/n}$ 和声波的波矢 $\frac{2\pi}{\Lambda}$ 代入,可以得到声波波长 $\Lambda$和光波波长 $\lambda$之间的关系:

\[2\frac{2\pi}{\lambda/n}\sin\theta_B=\frac{2\pi}{\Lambda}\\ \Rightarrow 2\Lambda\sin\theta_B=\lambda/n\]

出射波中只有一个峰(衍射级次-1,+1),这就是布拉格衍射波。布拉格衍射波的0级和一级光强分别为(从下面式子中可知两者互补):

\[\begin{cases} I_0=I_i\cos^2\frac{\delta}{2}\\ I_1=I_i\sin^2\frac{\delta}{2} \end{cases},~ \delta=\frac{2\pi}{\lambda}(\Delta n)\frac{L}{\cos\theta_B}\]

2)喇曼-奈斯(Raman-Nath)声光衍射

喇曼-奈斯声光衍射是一种声波作用较弱、作用长度L较短时的衍射。光波通过时,相位收到调制,类似于相位光栅的作用,各级衍射波最大值方向满足光栅方程

\[\sin\theta_i-\sin\theta=\frac{m\lambda}{\Lambda}=m\frac{K}{k}\\ m=0,\pm 1,\pm 2,···\]

因为喇曼奈斯声光衍射级次多,衍射效率低,所以应用较少。

3.2 声光效应的应用

1)声光调制器。一级衍射波光强与声光光强成简单的线性关系,若对声波进行调制,则光波就会被调制。可将所需传输的信息加载在光波上。

2)声光偏转器。从下式可知,我们可以通过改变超声波的频率 $\Omega$来改变衍射光波的偏转方向,可用于激光电视扫描,x-y记录仪等快速随机读出装置。

\[\sin\theta_B=\frac{\lambda}{2n\Lambda}=\frac{\Omega\lambda}{2nv_s},\\小角度近似:\theta_B\approx\frac{\Omega\lambda}{2nv_s}\]

3)声光频谱分析器。下图为其光路图。前面的激光器发出的光通过准直扩束系统,把它以一个比较宽的光束入射声光频谱分析器上,声光频谱分析器和前文的基本结构(上图)一致。当光波通过布拉格声光盒的时候,声波的频率不一样时,它会发生角度(出射光的方向)的偏转,所以出射光的出射角度跟声波的波长是有一定的关系的,和入射光的波长同样成正比:

\[\theta_B\approx\frac{\Omega\lambda}{2nv_s}\]

4)可调谐声光滤波器。和声光频谱分析器原理(上图)一样,只是在最后的频谱面上加上一个狭缝 —— 让不同频率的光波透过,把其他波长的光波滤掉。